1、样品什么要求？

答：最好1cm*1cm*5mm，厚度不超过5mm，长宽至少>0.5cm

2、可以打什么元素？

答：都可以，除了元素，还可以打有机片段，必须提供片段分子式

3、打表面可以提供怎么样的数据

答：面扫2D图，质谱图

4、深度剖析可以提供什么样的数据

答：1D曲线图，2D图，3D图

5、深度剖析最多可以打多深？

答：1um，如果需要打的更深，后续按时间收费

6、是否可以打有机片段？

答：可以，提供分子式

7、能不能定量？

答：不能，只能定性看元素在样品中的分布

8、打几个元素价格都一样么？

答：是的，10个元素以内价格同等

9、可以打多大范围？

答：200um*200um

10、光斑是多大？

答：20um，可以调，具体需要沟通。

11、能否真空转移？有没有手套箱？

答：没有连接手套箱，如果样品敏感，请提前说明，会尽快制样进行测试。

12、后续可以继续加元素么？

答：可以，5个以内不收费

13、化学抛光对测试结果有影响么？

答：化学抛光是引入的试剂和目标元素不重合即可。例：如果要看H元素，但是化学抛光用了有机酸，这个会对测试结果产生影响

14、我的样品不能接触空气，我怎么运输？

答：真空瓶运输

15、样品能回收么？

答：可以，请提前说明

16、之前用EPMA测过我这个材料的元素分布，但是因为材料的相太小了，所以EP MA做出来效果，分辨率不是很好，就所有的都糊到一起，SIMS会有这个问题么？

答：不会，SIMS是通过质谱识别的。

17、分辨率多少？

答：ppm

18、仪器什么型号？

答：TOF SIMS 5

19、可以打几个位置？

答：1个，因为换位置打需要用相同的机时，等同于再做一个样品了。

20. 质谱测试正负离子模式是什么？

TOF-SIMS是采用初级离子源（Bi源）入射样品的表面激发出材料里的离子，通常给样品加不同偏压分别采集正离子或负离子，金属离子主要在正离子模式产额比较高，而电负性元素如O\OH\F\Cl\S\N\Br等在负离子模式产额高，如果组分有金属氧化物，比如NiO, 那一定会在正离子模式产生Ni原子离子，以及NixOy的分子离子，而负离子模式一定有O原子离子，同时也有NixOy的分子离子，当然在正离子模式下大多数情况 x>y, 负离子模式下x<y,  这个案例中也有NiOH这样的离子，说明有可能有氢氧化物存在。

21. tof-sims可以看含量不？？应该怎么做？

正常TOF-SIMS是看不了含量的，数据横坐标是M/Z，纵坐标是强度/计数。理由如下：强度与含量是没有直接关系的。首先，同种基材不同离子的产额不同，产额高的谱峰强度高，但并不代表含量高，也就是说谱峰强弱与含量没有直接对应关系，如果要定量必须选用与测试样品基体效应相同的标准样品，得到灵敏度因子才可以定量！第二，同种离子在不同基体材料中的离子产额也不同，所以同一样品不同离子谱峰强度与含量无关，同种离子在不同材料中的谱峰强弱也与含量无关，只有同种材料的不同样品中的同种离子可以比较，谱峰强度高代表含量高。做深度溅射曲线可以看随深度方向，分子片段的相对变化趋势。

22. 测试的是同样一个位置吗？

质谱和mapping默认测试是同样一个位置，深度剖析正负离子是不同位置。